Resultat: 10
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Teknologi Monteringsstil Paket/låda Transistorns polaritet Antal kanaler Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Id - Kontinuerlig dräneringsström Rds på - Dräneringskällans resistans Vgs - Gate-källans spänning Vgs th - Gate-källans tröskelspänning Qg - Gate-laddning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning Kanalläge Förpackning
Infineon Technologies MOSFET:er IFX FET >100-150V 721På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 000

Si SMD/SMT TO263-7 N-Channel 1 Channel 135 V 207 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 104 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET:er IFX FET >100-150V 1 668På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 000

Si SMD/SMT TO263-7 N-Channel 1 Channel 135 V 250 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 160 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET:er IFX FET >100-150V 915På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 135 V 297 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 159 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET:er IFX FET >100-150V 1 332På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 135 V 297 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 159 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET:er IFX FET >100-150V 1 699På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 135 V 212 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 104 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET:er IFX FET >100-150V 3 917På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 5 000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 135 V 172 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 82 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET:er IFX FET >100-150V 4 813På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 135 V 142 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET:er IFX FET >100-150V 363På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 135 V 98 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET:er IFX FET >100-150V 570På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 135 V 54 A 14.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 21 nC 95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET:er IFX FET >100-150V 117På lager
8 000Förväntad 2026-03-12
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 2 000

Si Reel, Cut Tape