NXH010P90MNF1 SiC Module

onsemi NXH010P90MNF1 SiC Module contains a 10Mohm 900V SiC MOSFET half-bridge and an NTC thermistor in an F1 module. The module has a recommended gate voltage of 15V to 18V. The NXH010P90MNF1 has an improved RDS(ON) at a higher voltage and low thermal resistance.

Resultat: 2
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Serie
Förpackning
onsemi MOSFET-moduler SiC Module, 2-PACK Half Bridge Topology, 900 V, 10 mohm SiC M2 MOSFET
Datablad
8På lager
Min.: 1
Multipla: 1
SiC Press Fit Module N-Channel 900 V 154 A 14 mOhms - 8 V, + 18 V - 40 C + 150 C 328 W NXH010P90MNF1 Tray
onsemi MOSFET-moduler SiC Module, 2-PACK Half Bridge Topology, 900 V, 10 mohm SiC M2 MOSFET TIM option
Datablad
28På lager
Min.: 1
Multipla: 1

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH010P90MNF1 Tray