DMT31M8LFVWQ 30V N-Ch Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Incorporated DMT31M8LFVWQ 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs provide low on-resistance in a thermally efficient small form factor package. The devices offer superior switching performance and are ideal for high-efficiency power management applications. The Diodes Inc. DMT31M8LFVWQ MOSFETs are available in a PowerDI®3333-8 package with a wettable flank for improved optical inspection.

Resultat: 2
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Förpackning
Diodes Incorporated MOSFET:er MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
Datablad
3 000På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 3 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 24 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 43.1 nC - 55 C + 150 C 3.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET:er MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 16 Veckor
Min.: 2 000
Multipla: 2 000
Papprulle: 2 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 138 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 43.1 nC - 55 C + 150 C 3.5 W Enhancement Reel