Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

BFR 193 E6327

Name: Infineon BFR 193 E6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BFR193E6327
Price: 1.24 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-BFR193E6327

Tillverk: Nr.:

BFR 193 E6327

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

RF Bipolära transistorer NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW

Datablad:

BFR 193 E6327 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies BFR 193 E6327

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 26 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 15000 Flera: 15000

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)

MouseReel™ (+58,00 kr)

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	1,24 kr	18.600,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	RF Bipolära transistorer
RoHS-direktivet:
Serie:	BFR193
Transistortyp:	Bipolar
Teknologi:	Si
Transistorns polaritet:	NPN
Manövreringsfrekvens:	8 GHz
DC-kollektor/basförstärkning Hfe Min:	70
Kollektor- Emitterspänning VCEO Max.:	12 V
Sändare - Basspänning VEBO:	2 V
Kontinuerlig dräneringsström:	80 mA
Minsta drifttemperatur:	- 65 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Konfiguration:	Single
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	SOT-23
Kvalificering:	AEC-Q100
Förpackning:	Reel
Märke:	Infineon Technologies
Maximal DC-kollektorström:	80 mA
Pd - Effektavledning:	580 mW
Produkttyp:	RF Bipolar Transistors
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Del # Alias:	BFR193E6327XT SP000011056 BFR193E6327HTSA1
Enhetens vikt:	60 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

BFR 193 E6327 Datablad (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

RF Transistors

Infineon RF Transistors include Low Noise Amplifiers and High Linearity Transistors. Devices in the Low Noise category are based on silicon bipolar technology. Moderate transition frequency of fT <20 GHz provides ease of use and stability. Breakdown voltage can safely support supply voltage of 5V. These transistors are suitable for use with AM over VHF/UHF up to 14GHz. High Linearity Transistors provide OIP3 (Output 3rd Order Intercept Point) above 29dBm. They are based on Infineon's high volume silicon bipolar and SiGe:C technologies for best in class noise figures. These devices are ideal for drivers, pre-amplifiers, and buffer amplifiers.

RF Solutions for IoT applications

Infineon Technologies RF Solutions portfolio delivers high-performance RF technology products for reliable wireless connectivity in IoT applications. The number of IoT devices is growing at an astonishing rate. At the same time, customers expect a superior user experience in terms of product design and functionality.