OptiMOS™ 6 effekt-MOSFET:ar

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 effekt-MOSFET:ar är nästa generations banbrytande innovation med prestanda som är bäst i klassen. OptiMOS 6-familjen använder tunn kretsteknik vilket möjliggör betydande prestandafördelar. Jämfört med alternativa produkter, har OptiMOS 6 effekt-MOSFET:ar en reducerad RDS(ON) på 30 % och är optimerad för synkron likriktning.

Resultat: 81
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Handelsnamn
Förpackning
Infineon Technologies MOSFET:er MOSFET_(20V 40V)
Datablad
9 920På beställningen
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 600 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 116 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET:er MOSFET_(20V 40V)
Datablad
2 000På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 2 000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-3 N-Channel 40 V 390 A 750 uOhms 20 V 3 V 100 nC - 55 C + 175 C 206 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET:er OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TO-220
Datablad
500Förväntad 2026-03-12
Min.: 1
Multipla: 1

Si OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET:er IFX FET >150 - 400V
Datablad
2 000Förväntad 2026-02-26
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 136 A 6.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 73 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET:er OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package
Datablad
1 916Förväntad 2026-03-05
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 2 000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 150 V 147 A 4.4 mOhms 20 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET:er IFX FET 40V
Datablad
10 000Förväntad 2027-02-05
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 40 V 232 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 51 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel