600V Single N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor 600V Single N-channel power MOSFETs incorporate super-junction technology and operate within the -55°C to 150°C temperature range. These MOSFETs are Pb-free, RoHS-compliant, and halogen-free. Typical applications include lighting, industrial, and switching applications.

Resultat: 29
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Teknologi Monteringsstil Paket/låda Transistorns polaritet Antal kanaler Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Id - Kontinuerlig dräneringsström Rds på - Dräneringskällans resistans Vgs - Gate-källans spänning Vgs th - Gate-källans tröskelspänning Qg - Gate-laddning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning Kanalläge Förpackning
Taiwan Semiconductor MOSFET:er 600V, 30A, Single N-Channel High Voltage MOSFET:er, TOLL Ledtid för icke lagerfört 14 Veckor
Min.: 4 000
Multipla: 2 000
Papprulle: 2 000

Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 110 mOhms 20 V 6 V 55 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor MOSFET:er 600V, 21A, Single N-Channel High Voltage MOSFET:er Ledtid för icke lagerfört 14 Veckor
Min.: 6 000
Multipla: 3 000
Papprulle: 3 000

Si SMD/SMT PDFN-4 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 160 mOhms 30 V 6 V 42 nC - 55 C + 150 C 173 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor MOSFET:er 600V, 20A, Single N-Channel High Voltage MOSFET:er, PDFN88 Ledtid för icke lagerfört 14 Veckor
Min.: 6 000
Multipla: 3 000
Papprulle: 3 000

Si SMD/SMT PDFN88-4 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 180 mOhms 30 V 6 V 36 nC - 55 C + 150 C 169 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor MOSFET:er 600V, 16A, Single N-Channel High Voltage MOSFET:er, PDFN88 Ledtid för icke lagerfört 14 Veckor
Min.: 6 000
Multipla: 3 000
Papprulle: 3 000

Si SMD/SMT PDFN88-4 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 285 mOhms 30 V 6 V 24 nC - 55 C + 150 C 164 W Enhancement Reel