F3L200R07W2S5FP EasyPACK™ IGBT Modules

Infineon Technologies F3L200R07W2S5FP EasyPACK™ IGBT Modules feature up to 650V increased blocking voltage capability and employ CoolSiC™ Schottky diode (gen5). These devices are based on TRENCHSTOP™ IGBT5  and PressFIT contact technology. The F3L200R07W2S5FP IGBT modules provide strongly reduced switching losses and an Al2O3 substrate with low thermal resistance. These modules come with a compact design comprising rugged mounting due to integrated mounting clamps and pre-applied thermal interface material. The F3L200R07W2S5FP IGBT modules are ideal for motor drives, solar applications, 3-level applications, and UPS systems.  

Resultat: 3
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Produkt Konfiguration Kollektor- Emitterspänning VCEO Max. Kollektor - Sändarens mättnadsspänning Kontinuerlig kollektorström vid 25 C Gate-sändarens läckström Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Förpackning
Infineon Technologies IGBT-moduler 650 V, 200 A 3-level IGBT module Ledtid 10 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 650 V 1.17 V 200 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT-moduler 650 V, 200 A 3-level IGBT module Ledtid för icke lagerfört 10 Veckor
Min.: 18
Multipla: 18

Tray
Infineon Technologies F3L200R07W2S5FPB56BPSA1
Infineon Technologies IGBT-moduler 650 V, 200 A 3-level IGBT module Ledtid för icke lagerfört 10 Veckor
Min.: 18
Multipla: 18

Tray