|
|
SiC-MOSFET:ar SIC_DISCRETE
- AIMW120R045M1XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
184,44 kr
-
736På lager
-
NRND
|
Mouser artikelnummer
726-AIMW120R045M1XKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC-MOSFET:ar SIC_DISCRETE
|
|
736På lager
|
|
|
184,44 kr
|
|
|
140,98 kr
|
|
|
133,56 kr
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
52 A
|
59 mOhms
|
- 7 V, + 20 V
|
5.7 V
|
57 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
228 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
- IMBF170R1K0M1XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
48,65 kr
-
3 675På lager
-
3 000På beställningen
|
Mouser artikelnummer
726-IMBF170R1K0M1XTM
|
Infineon Technologies
|
SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
|
|
3 675På lager
3 000På beställningen
Lager:
3 675 Kan skickas omedelbart
På beställningen:
1 000 Förväntad 2026-08-26
2 000 Förväntad 2026-10-07
Fabrikens ledtid:
53 Veckor
|
|
|
48,65 kr
|
|
|
25,33 kr
|
|
|
23,11 kr
|
|
|
20,46 kr
|
|
|
19,19 kr
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
:
1 000
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
1 Channel
|
1.7 kV
|
5.2 A
|
1 Ohms
|
- 10 V, + 20 V
|
4.5 V
|
5 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
68 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R048M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
101,34 kr
-
323På lager
-
NRND
|
Mouser artikelnummer
726-IMZA65R048M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
323På lager
|
|
|
101,34 kr
|
|
|
71,66 kr
|
|
|
59,68 kr
|
|
|
53,11 kr
|
|
|
45,16 kr
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
1 Channel
|
650 V
|
39 A
|
64 mOhms
|
- 5 V, + 23 V
|
5.7 V
|
33 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
125 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
- IMW120R140M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
66,99 kr
-
80På lager
-
240På beställningen
-
NRND
|
Mouser artikelnummer
726-IMW120R140M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
|
|
80På lager
240På beställningen
|
|
|
66,99 kr
|
|
|
38,90 kr
|
|
|
35,72 kr
|
|
|
33,50 kr
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
19 A
|
182 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
3.5 V
|
13 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
94 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R027M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
137,80 kr
-
71På lager
-
1 680På beställningen
-
NRND
|
Mouser artikelnummer
726-IMW65R027M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
71På lager
1 680På beställningen
Lager:
71 Kan skickas omedelbart
På beställningen:
960 Förväntad 2026-08-25
720 Förväntad 2026-09-14
Fabrikens ledtid:
52 Veckor
|
|
|
137,80 kr
|
|
|
86,71 kr
|
|
|
78,12 kr
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
1 Channel
|
650 V
|
47 A
|
34 mOhms
|
- 5 V, + 23 V
|
5.7 V
|
62 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
189 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
- IMZ120R030M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
165,04 kr
-
2 160På beställningen
-
NRND
|
Mouser artikelnummer
726-IMZ120R030M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
|
|
2 160På beställningen
Fabrikens ledtid:
52 Veckor
|
|
|
165,04 kr
|
|
|
125,72 kr
|
|
|
104,73 kr
|
|
|
93,28 kr
|
|
|
88,30 kr
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
56 A
|
40 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.7 V
|
63 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
227 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R072M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
86,50 kr
-
Ledtid för icke lagerfört 52 Veckor
-
NRND
|
Mouser artikelnummer
726-IMZA65R072M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
Ledtid för icke lagerfört 52 Veckor
|
|
|
86,50 kr
|
|
|
60,84 kr
|
|
|
43,04 kr
|
|
|
39,22 kr
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
1 Channel
|
650 V
|
28 A
|
94 mOhms
|
- 5 V, + 23 V
|
5.7 V
|
22 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
96 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
Sverige