Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

IXFN110N85X

Name: IXYS IXFN110N85X
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN110N85X
Price: 681.25 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

747-IXFN110N85X

Tillverk: Nr.:

IXFN110N85X

Tillverk:

IXYS

Beskrivning:

MOSFET-moduler 850V X-Class HiPerFE Power MOSFET

Datablad:

IXFN110N85X Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om IXYS IXFN110N85X

På lager: 158

Lager:: 158 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 27 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	681,25 kr	681,25 kr
	637,54 kr	6.375,40 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	IXYS
Produktkategori:	MOSFET-moduler
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Screw Mount
Paket/låda:	SOT-227-4
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	850 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	110 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	33 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3.5 V
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	1.17 kW
Serie:	HiPerFET
Förpackning:	Tube
Märke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Falltid:	11 ns
Produkttyp:	MOSFET Modules
Stigtid:	25 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	10
Underkategori:	Discrete and Power Modules
Handelsnamn:	HiPerFET
Typ:	HiperFET
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	144 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	50 ns
Enhetens vikt:	30 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IXFN110N85X Datablad

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Lösningar för elektrisk fordonsladdning

Littelfuse laddningslösningar för elektriska fordon gör det möjligt för konstruktörer att välja den perfekta lösningen för att säkerställa att deras laddningslösningar för elektriska fordon fungerar och är säkra. Laddningsstationer utanför kretskortet arbetar i tuffa miljöer och utsätts för extrem värme och kyla, regn, snö, och blixtnedslag. Produkter från Littelfuse är skyddade mot dessa risker, vilket minimerar risken för fel.

850V X-Class Power MOSFETs

IXYS 850V X-Class Power MOSFETs with HiPerFET™ body diodes are rugged devices with current ratings up to 110A, which enables a very high power density in high voltage power conversion applications. These 850V devices have very low on-state resistances (33mΩ in the SOT-227 package), along with low gate charges and superior dv/dt performance.

X-Class 850V - 1000V Power MOSFETs with HiPerFET™

IXYS X-Class 850V-1000V Power MOSFETs with HiPerFET™ with fast body diodes are rugged devices that display the lowest on-state resistances in the industry. This enables a very high power density in high-voltage power conversion applications. Developed using the charge compensation principle and proprietary process technology, these devices exhibit low gate charges and superior dv/dt performance. In addition, thanks to the fast soft-recovery body diode, these ultra-junction MOSFETs help reduce switching losses and Electromagnetic Interference (EMI).

X-Class Power MOSFETs

IXYS X-Class Power MOSFETs are high-power density N-Channel Enhancement Mode MOSFETs. They are easy to mount and have a low R_DS(ON) and Q_Gwith a low package inductance. Typical applications include switch-mode and resonant-mode power supplies, DC-DC converters and PFC circuits.

Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

Ultra Junction MOSFETs

IXYS Ultra Junction MOSFETs feature low R_DS(on) and low Q_g in low inductance industry standard packages. These devices enable high power density, easy mounting, and space-saving opportunities. IXYS Ultra Junction MOSFETs are ideal solutions in SMPS, DC-DC converters, PFC circuits, AC and DC motor drives, and robotics/servo controls.

Off-Highway Electric Vehicle Solutions

Littelfuse provides a wide range of solutions for off-highway electric vehicles. These electric vehicles share a similar architecture and have a power range from 48V to 400V. Off-highway electric vehicles include electric forklifts, golf carts, three-wheelers, tow tractors, compactors, and excavators.