Alla resultat (11)

Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS
ROHM Semiconductor SiC-MOSFET:ar N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
Datablad
1 090På lager
Min.: 1
Multipla: 1

ROHM Semiconductor SiC-MOSFET:ar N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
Datablad
685På lager
Min.: 1
Multipla: 1

ROHM Semiconductor SiC-MOSFET:ar N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
Datablad
258På lager
Min.: 1
Multipla: 1

ROHM Semiconductor SiC-MOSFET:ar N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
Datablad
84På lager
Min.: 1
Multipla: 1
ROHM Semiconductor SiC-MOSFET:ar N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
Datablad
143På lager
450Förväntad 2027-03-03
Min.: 1
Multipla: 1

ROHM Semiconductor SiC-MOSFET:ar N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
Datablad
589På lager
Min.: 1
Multipla: 1

ROHM Semiconductor SiC-MOSFET:ar N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
Datablad
393På lager
Min.: 1
Multipla: 1
ROHM Semiconductor SiC-MOSFET:ar N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
Datablad
4 934På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1

ROHM Semiconductor SiC-MOSFET:ar 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
Datablad
1 190Förväntad 2027-01-12
Min.: 1
Multipla: 1

ROHM Semiconductor SiC-MOSFET:ar N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
Datablad
1 291Förväntad 2026-10-28
Min.: 1
Multipla: 1

ROHM Semiconductor Strömhantering, IC-utvecklingsverktyg Evaluation Board for BD7682FJ-LBE2
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 12 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1