Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

NVMFS4C306NT1G

Name: onsemi NVMFS4C306NT1G
Brand: onsemi
SKU: 698-NVMFS4C306NT1G
Price: 22.45 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

698-NVMFS4C306NT1G

Tillverk: Nr.:

NVMFS4C306NT1G

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

MOSFET:er TRENCH 30V NCH

Livscykel:

NRND:

Rekommenderas ej för ny design.

Datablad:

NVMFS4C306NT1G Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NVMFS4C306NT1G

På lager: 1 425

Lager:: 1 425 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 19 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	22,45 kr	22,45 kr
	14,39 kr	143,90 kr
	9,84 kr	984,00 kr
	7,85 kr	3 925,00 kr
	7,18 kr	7 180,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1500)
	7,18 kr	10 770,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	SO-8FL-4
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	30 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	20.6 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	4.8 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.1 V
Qg - Gate-laddning:	11.6 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	3 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Falltid:	3 ns
Transkonduktans framåt - Min:	58 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	28 ns
Serie:	NVMFS4C306N
Fabriksförpackningskvantitet:	1500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	24 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	8 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NVMFS4C306NT1G Datablad

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVMFS4C306N Power MOSFETs

onsemi NVMFS4C306N Power MOSFETs offer 30V drain-to-source voltage, 3.4mΩ R_DS(ON), and 71A continuous drain current. The automotive power MOSFET is available in a 5mm x 6mm flat lead SO8-FL package developed for compact and efficient designs.