NVT201xN0 M2 SiC N-Channel MOSFETs

onsemi NVT201xN0 M2 SiC N-Channel MOSFETs provide higher voltage operation, wider temperature ranges, and increased switching frequencies when compared to existing Si technology. These MOSFETs offer low effective output capacitance and ultra-low gate charge, resulting in lower switching losses and higher switching speed capabilities. onsemi NVT201xN0 M2 SiC N-Channel MOSFETs are 100% UIS tested and are AEC-Q101 qualified.

Resultat: 2
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil Paket/låda Transistorns polaritet Antal kanaler Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Id - Kontinuerlig dräneringsström Rds på - Dräneringskällans resistans Vgs - Gate-källans spänning Vgs th - Gate-källans tröskelspänning Qg - Gate-laddning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning Kanalläge
onsemi SiC-MOSFET:ar T2PAK SIC 650V M2 560På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 800

SMD/SMT T2PAK-7 N-Channel 1 Channel 900 V 148 A 23 mOhms - 8 V, 22 V 4.3 V 250 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement
onsemi SiC-MOSFET:ar T2PAK SIC 650V M2
800Förväntad 2026-03-20
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 800

SMD/SMT T2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 180 A 18 mOhms - 8 V, 22 V 4.3 V 256 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement