Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

RF6L025BGTCR

Name: ROHM Semiconductor RF6L025BGTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RF6L025BGTCR
Price: 6.38 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-RF6L025BGTCR

Tillverk: Nr.:

RF6L025BGTCR

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er SOT363 N-CH 60V 2.5A

Datablad:

RF6L025BGTCR Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om ROHM Semiconductor RF6L025BGTCR

På lager: 2 956

Lager:: 2 956 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	6,38 kr	6,38 kr
	3,92 kr	39,20 kr
	2,52 kr	252,00 kr
	1,91 kr	955,00 kr
	1,71 kr	1 710,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	1,42 kr	4 260,00 kr
	1,31 kr	7 860,00 kr
	1,17 kr	10 530,00 kr
	1,13 kr	27 120,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	SOT-363T-6
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	60 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	2.5 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	91 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.5 V
Qg - Gate-laddning:	3.1 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	1 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Falltid:	3.1 ns
Transkonduktans framåt - Min:	1.3 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	4.8 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	13 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	5.3 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

RF6L025BGTCR Datablad

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RF6L025BG Power MOSFET

ROHM Semiconductor RF6L025BG Power MOSFET features 60V drain-source voltage (V_DSS) and ±2.5A continuous drain current (I_D). This N-channel MOSFET offers 91mΩ low on-resistance (R_DS(on)) and power dissipation of 1W (P_D). The RF6L025BG MOSFET operates within the -55°C to 150°C operating junction and storage temperature range and is available in a Halogen-free, small surface mount package (TUMT6 or SOT-363T). This RoHS-compliant device incorporates Pb-free plating. The RF6L025BG power MOSFET is suitable for switching, motor drives, and DC/DC converter applications.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.