Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

FDA38N30

Name: onsemi FDA38N30
Brand: onsemi
SKU: 512-FDA38N30
Price: 45.24 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

512-FDA38N30

Tillverk: Nr.:

FDA38N30

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

MOSFET:er UniFET1 300V N-chan MOSFET

Datablad:

FDA38N30 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 1 901

Lager:: 1 901 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 8 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	45,24 kr	45,24 kr
	26,49 kr	264,90 kr
	21,91 kr	2 191,00 kr
	19,84 kr	8 928,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-3PN-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	300 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	38 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	70 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	5 V
Qg - Gate-laddning:	60 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 125 C
Pd - Effektavledning:	312 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	UniFET
Förpackning:	Tube
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	CN
Distributionsland:	KR
Ursprungsland:	CN
Transkonduktans framåt - Min:	6.3 S
Produkttyp:	MOSFETs
Serie:	FDA38N30
Fabriksförpackningskvantitet:	450
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Enhetens vikt:	4,600 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

FDA38N30 Datablad

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

FDA38N30 Mosfet Power UniFET™ Transistors

onsemi FDA38N30 Mosfet Power UniFET™ Transistors are N-Channel enhancement mode power field effect transistors produced using proprietary, planar stripe, DMOS technology. onsemi's Mosfet Power UniFET Transistors utilize advanced technology that minimizes on-state resistance, provides superior switching performance, and withstands high-energy pulse in the avalanche and commutation mode. Features include fast switching, improved dv/dt capability, ESD improved capability, low gate charge, 300V drain to source voltage, and more.