Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

SIS890ADN-T1-GE3

Name: Vishay SIS890ADN-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIS890ADN-T1-GE3
Price: 12.43 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

78-SIS890ADN-T1-GE3

Tillverk: Nr.:

SIS890ADN-T1-GE3

Tillverk:

Vishay / Siliconix

Beskrivning:

MOSFET:er PWRPK 100V 24.7A N-CH MOSFET

Datablad:

SIS890ADN-T1-GE3 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Vishay / Siliconix SIS890ADN-T1-GE3

På lager: 58 867

Lager:: 58 867 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	12,43 kr	12,43 kr
	7,83 kr	78,30 kr
	5,17 kr	517,00 kr
	4,10 kr	2.050,00 kr
	3,73 kr	3.730,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	3,29 kr	9.870,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Vishay
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	PowerPAK-1212-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	100 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	24.7 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	25.5 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.5 V
Qg - Gate-laddning:	19.2 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	39 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	TrenchFET
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	Vishay / Siliconix
Falltid:	4 ns
Transkonduktans framåt - Min:	45 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	6 ns
Serie:	SIS
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	TrenchFET Power MOSFET
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	19 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	9 ns
Enhetens vikt:	1 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

SIS890ADN-T1-GE3 Datablad

PCN

Product Change Notification (PDF)

Technical Resources

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

TrenchFET® Gen IV MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® Gen IV MOSFETs offer industry-low on-resistance and low total gate charge in the PowerPAK^® SO-8 and 1212-8S packages. These TrenchFET Gen IV MOSFETs feature extremely low R_DS(on) that translates to lower conduction losses for reduced power consumption. The TrenchFET MOSFETs also come with space-saving PowerPAK^® 1212-8 packages with similar efficiency with a third of its size. Typical applications include high-power DC/DC converters, synchronous rectification, solar micro-inverters, and motor drive switches.

SiS890ADN N-Channel 100V MOSFET

Vishay / Siliconix SiS890ADN N-Channel 100V MOSFET offers 100VDC drain-source voltage, 40A pulsed drain current, and a single configuration. It features low R_DS x Q_g figure-of-merit (FOM) along with TrenchFET® GEn IV power. This MOSFET is 100% R_g and UIS tested. Vishay SiS890ADN N-Channel 100V MOSFET is ideally suited for synchronous rectification, primary side switches, DC/DC converters, and circuit protection.