SH63N65DM6AG

STMicroelectronics
511-SH63N65DM6AG
SH63N65DM6AG

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 194

Lager:
194 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
14 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 200)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
205,90 kr 205,90 kr
163,06 kr 1.630,60 kr
118,16 kr 11.816,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 200)
118,16 kr 23.632,00 kr
102,35 kr 40.940,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
SMD/SMT
ACEPACK SMIT-9
N-Channel
2 Channel
650 V
53 A
64 mOhms
- 25 V, 25 V
4.75 V
80 nC
- 55 C
+ 150 C
424 W
Enhancement
AQG 324
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: STMicroelectronics
Konfiguration: Dual
Falltid: 8 ns
Fuktkänsliga: Yes
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 8 ns
Fabriksförpackningskvantitet: 200
Underkategori: Transistors
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 68 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 28 ns
Enhetens vikt: 8,200 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SH63N65DM6AG Power MOSFET

STMicroelectronics SH63N65DM6AG Power MOSFET is an automotive-grade N-channel MDmesh DM6 half‑bridge topology power MOSFET offering 650V blocking voltage. This power MOSFET is AQG 324 qualified and comes in an ACEPACK SMIT low inductance package. The SH63N65DM6AG power MOSFET features very low switching energies, low thermal resistance, and a 3.4kVrms/min isolation rating. This power MOSFET has a dice-on Direct Bond Copper (DBC) substrate that helps the package offer low thermal resistance coupled with an isolated top-side thermal pad. The SH63N65DM6AG MOSFET comes in a package with high design flexibility enabling several configurations, including phase-legs, boost, and single-switch through different combinations of internal power switches. This power MOSFET is ideal for switching applications.