DTMOSVI MOSFETs

Toshiba DTMOSVI MOSFETs offer a low drain-source on-resistance of 0.033Ω (typical), a drain-source voltage of 650V, and a drain current of 57A. The DTMOSVI MOSFETs offer high-speed switching properties with lower capacitance. These MOSFETs are ideal for use in switching power supply applications.

Resultat: 16
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Teknologi Monteringsstil Paket/låda Transistorns polaritet Antal kanaler Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Id - Kontinuerlig dräneringsström Rds på - Dräneringskällans resistans Vgs - Gate-källans spänning Vgs th - Gate-källans tröskelspänning Qg - Gate-laddning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning Kanalläge Handelsnamn Förpackning
Toshiba MOSFET:er POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ 1 058På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 2 000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 70 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 47 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET:er 230W 1MHz 8x8DFN 7 399På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 2 500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 99 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 47 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET:er Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK PD=80W F=1MHZ 351På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 9.7 A 430 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 20 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET:er POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ 2 000På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 2 000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 149 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET:er POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ 3 792På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 2 000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 86 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFET:er Power MOSFET 57A 360W 650V 1 087På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 57 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 105 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement DTMOSVI Tube
Toshiba MOSFET:er POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ 1 232På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 2 000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 51 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 62 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET:er MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI 432På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET:er 270W 1MHz TO-247 59På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 62 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET:er Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ 353På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 90 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 47 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSVI Tube
Toshiba MOSFET:er 230W 1MHz TO-247 2På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 90 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 47 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET:er 650V DTMOS6-HSD TO-247 95mohm 30På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 50 nC + 150 C 230 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET:er Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB(OS) PD=130W F=1MHZ 20På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 9.5 A 550 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 19 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSVI Tube
Toshiba MOSFET:er 360W 1MHz TO-247-4L(T) Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 25

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 57 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 105 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement DTMOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET:er Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO247-4L PD=230W F=1MHZ Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 90 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 47 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSVI Tube
Toshiba MOSFET:er POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 2 000
Multipla: 2 000
Papprulle: 2 000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 122 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Reel