NXH010P120MNF1 SiC Module

onsemi NXH010P120MNF1 SiC Module contains a 10Mohm 1200V SiC MOSFET half-bridge and an NTC thermistor in an F1 module. The module has a recommended gate voltage of 18-20V. The NXH010P120MNF1 has an improved RDS(ON) at a higher voltage and low thermal resistance.

Resultat: 4
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Serie
Förpackning

onsemi MOSFET-moduler PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM(NI-PLATED)
Datablad
23På lager
Min.: 1
Multipla: 1
SiC NXH010P120MNF1 Tray

onsemi MOSFET-moduler PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM(NI-PLATED + TIM)
Datablad
1 148Tillgänglig mängd i lager
Mer info finns
Min.: 28
Multipla: 28
SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH010P120MNF1 Tray

onsemi MOSFET-moduler PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM
Datablad
56Tillgänglig mängd i lager
Mer info finns
Min.: 1
Multipla: 1
SiC Press Fit Module N-Channel 1.2 kV 114 A 14 mOhms - 15 V, + 25 V 1.8 V - 40 C + 150 C 413 W NXH010P120MNF1 Tray
onsemi MOSFET-moduler PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM
Datablad
168Tillgänglig mängd i lager
Mer info finns
Min.: 1
Multipla: 1

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH010P120MNF1 Tray