SIRS5700DP-T1-RE3

Vishay
78-SIRS5700DP-T1-RE3
SIRS5700DP-T1-RE3

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er N-CH 150V Vds 20Vgs 144A Rds .0062

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 6 264

Lager:
6 264 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
4 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
45,90 kr 45,90 kr
30,42 kr 304,20 kr
21,62 kr 2 162,00 kr
18,87 kr 9 435,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
17,91 kr 53 730,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Vishay
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SO-8
N-Channel
1 Channel
150 V
144 A
5.6 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
73 nC
- 55 C
+ 150 C
278 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: Vishay
Konfiguration: Single
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: CN
Falltid: 25 ns
Transkonduktans framåt - Min: 122 S
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 21 ns
Serie: SiRS5700DP
Fabriksförpackningskvantitet: 3000
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 40 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 20 ns
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SiRS5700DP N-Channel 150V (D-S) MOSFET

Vishay SiRS5700DP N-Channel 150V (D-S) MOSFET is a TrenchFET® Gen V power MOSFET with a very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM). The Vishay SiRS5700DP optimizes power efficiency, and the device's RDS(on) minimizes power loss during conduction, ensuring efficient operation. This MOSFET undergoes 100% Rg and UIS testing, guaranteeing reliability. The device also enhances power dissipation and lowers thermal resistance (RthJC), making it an ideal choice for high-performance applications.