NVBG022N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NVBG022N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are 1200V M3S planar SiC MOSFETs optimized for fast switching applications. The onsemi NVBG022N120M3S features planar technology that works reliably with negative gate voltage drives and turns off spikes on the gate. This family has optimum performance when driven with an 18V gate drive but also works with 15V gate drives. Typical applications for these MOSFETs include onboard chargers (OBC) and DC/DC converters for electric vehicles (EVs) and hybrid EVs (HEVs).

Resultat: 3
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Handelsnamn
onsemi SiC-MOSFET:ar Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L
Datablad
818På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 20 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFET:ar SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
Datablad
240På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 40.5 mOhms - 8 V, + 22 V 3.22 V 74.5 nC - 55 C + 175 C 297 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFET:ar SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM M3S 1200V
Datablad
800Förväntad 2026-04-17
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 30 mOhms - 10 V, 22 V 4.4 V 142 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement