Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

SISS94DN-T1-GE3

Name: Vishay SISS94DN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SISS94DN-T1-GE3
Price: 13.41 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

78-SISS94DN-T1-GE3

Tillverk: Nr.:

SISS94DN-T1-GE3

Tillverk:

Vishay Semiconductors

Beskrivning:

MOSFET:er N-CHANNEL 200-V(D-S) PowerPAK 1212-8S

Datablad:

SISS94DN-T1-GE3 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Vishay Semiconductors SISS94DN-T1-GE3

På lager: 26 727

Lager:: 26 727 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 31 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	13,41 kr	13,41 kr
	8,46 kr	84,60 kr
	5,60 kr	560,00 kr
	4,38 kr	2.190,00 kr
	3,99 kr	3.990,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	3,74 kr	11.220,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Vishay
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	PowerPAK-1212-8SH-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	200 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	19.5 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	75 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4 V
Qg - Gate-laddning:	11 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	65.8 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	TrenchFET
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Falltid:	7 ns
Transkonduktans framåt - Min:	12 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	5 ns
Serie:	SISS
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	20 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	12 ns
Enhetens vikt:	488,500 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SISS94DN ThunderFET® MOSFET

Vishay SISS94DN ThunderFET^® MOSFET is an N-channel 200V_DS device that uses TrenchFET^® with ThunderFET technology. This ThunderFET MOSFET optimizes the balance of R_DS(on), Q_g, Q_sw, and Q_oss. The device is 100% R_g and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested. This SISS94DN MOSFET is available in a PowerPAK 1212-8S package and is Lead (Pb)-free and halogen-free (SiSS94DN-T1-GE3). The MOSFET operates from -55°C to +150°C temperature range and comes in a single configuration. Typical applications include primary side switching, synchronous rectification, DC/DC topologies, lighting, load switches, and motor drive control.

ThunderFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix ThunderFET® Power MOSFETs provide low values of on-resistance for 100V MOSFETs with 4.5V ratings. The lower on-resistance translates into lower conduction losses and reduced power consumption for energy-saving green solutions. Vishay / Siliconix ThunderFET Power MOSFETs are optimized for primary-side switching and secondary-side synchronous rectification in isolated DC/DC power supply designs for telecom brick and bus converter applications. The 4.5V rating for on-resistance allows a wide range of PWM and gate driver ICs to be considered.