Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

Typer av Åtskilda halvledare

Ändra kategorivy
Resultat: 60
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS Produkttyp Teknologi Monteringsstil Paket/låda
ROHM Semiconductor SiC-MOSFET:ar N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
1 197På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor MOSFET-moduler 300A SiC Power Module 3På lager
Min.: 1
Multipla: 1

MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor SiC-schottkydioder AECQ
442Förväntad 2026-05-27
Min.: 1
Multipla: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC-MOSFET:ar 650V 21A 103W SIC 120mOhm TO-247N
450Förväntad 2026-07-23
Min.: 1
Multipla: 1
SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor Åtskilda halvledaremoduler Half Bridge Module SiC DMOS & SBD 1200V Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Discrete Semiconductor Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor Åtskilda halvledaremoduler SIC Pwr Module Chopper Ledtid 27 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Discrete Semiconductor Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor MOSFET-moduler SIC Pwr Module Half Bridge Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 4
Multipla: 4

MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor SiC-schottkydioder DIODE: 8A 600V Ledtid för icke lagerfört 21 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor SiC-MOSFET:ar 650V 93A 339W SIC 22mOhm TO-247N Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 450
Multipla: 450

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC-schottkydioder SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 6A, 2nd Gen Ledtid för icke lagerfört 21 Veckor

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2