4G/5G Low Noise Amplifiers

Infineon Technologies 4G/5G Low Noise Amplifiers are designed for LTE and 5G, covering a wide frequency range. The 4G/5G Low Noise Amplifiers gain step features the gain and linearity that can adjust to increase the dynamic system range and accommodate changing interference scenarios.

Resultat: 5
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Manövreringsfrekvens Driftspänning Arbetsström Förstärkning NF - brustal Typ Monteringsstil Paket/låda Teknologi P1dB - Kompressionspunkt OIP3 - Skärningspunkt för tredje ordern Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Förpackning
Infineon Technologies RF-förstärkare RF MMIC 3 TO 6 GHZ 11 542På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 15 000
1.4 GHz to 2.7 GHz 1.8 V 5.8 mA 20.2 dB 11.5 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT TSNP-9-2 Si - 17 dBm Reel, Cut Tape
Infineon Technologies RF-förstärkare 7x LNA Bank with Output Cross-Switch for 5G 4 500På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 5 000

600 MHz to 2.7 GHz 1.2 V, 1.8 V 21 dB 0.8 dB SMD/SMT PG-WF2BGA-50-2 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies RF-förstärkare RF MMIC 3 TO 6 GHZ 7 445På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 12 000

2.3 GHz to 2.7 GHz 1.1 V to 3.3 V 2.2 mA 20.3 dB 0.6 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT TSNP-6-10 Si - 17 dBm - 7 dBm - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies RF-förstärkare RF MMIC 3 TO 6 GHZ Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 12 000
Multipla: 12 000
Papprulle: 12 000

4.4 GHz to 5 GHz 1.1 V to 2 V 5.6 mA 19 dB 1 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT SiGe - 19 dBm - 7 dBm - 30 C + 85 C Reel
Infineon Technologies RF-förstärkare RF MMIC 3 TO 6 GHZ Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 12 000
Multipla: 12 000
Papprulle: 12 000

3.3 GHz to 4.2 GHz 1.1 V to 2 V 5.8 mA 21 dB 0.75 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT SiGe - 18 dBm - 7 dBm - 30 C + 85 C Reel