Resultat: 8
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Produkt Konfiguration Kollektor- Emitterspänning VCEO Max. Kollektor - Sändarens mättnadsspänning Kontinuerlig kollektorström vid 25 C Gate-sändarens läckström Pd - Effektavledning Paket/låda Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Förpackning
Infineon Technologies IGBT-moduler 1200 V, 600 A dual IGBT module 12På lager
Min.: 1
Multipla: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 400 nA 152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT-moduler IGBT Module 1400A 1700V 4På lager
Min.: 1
Multipla: 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.75 V 1.4 kA 400 nA 9.55 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT-moduler 1200 V, 450 A dual IGBT module 17På lager
Min.: 1
Multipla: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-moduler PP IHM I 112På lager
90Förväntad 2026-06-11
Min.: 1
Multipla: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 1.4 kA 400 nA 7.65 kW PRIME3 - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT-moduler 1200 V, 100 A PIM IGBT module 5På lager
Min.: 1
Multipla: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 100 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FS450R17OE4
Infineon Technologies IGBT-moduler IGBT Module 450A 1700V 1På lager
Min.: 1
Multipla: 1

IGBT Modules 6-Pack 1.7 kV 1.95 V 630 A 400 nA 2.4 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT-moduler 1200 V, 900 A dual IGBT module
20Förväntad 2026-04-28
Min.: 1
Multipla: 1
Nej
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-moduler 1200 V, 10 A PIM IGBT module Ledtid för icke lagerfört 26 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 10 A 100 nA AG-EASY1B-2 - 40 C + 175 C Tray