CFD7 CoolMOS™ MOSFETs

Infineon Technologies CFD7 CoolMOS™ MOSFETs are ideal for resonant high power topologies and feature high voltage superjunction MOSFET technology. The MOSFETs have an integrated fast body diode and completes the CoolMOS 7 series. Typical high power switch-mode power supply (SMPS) applications include server, telecom, and EV charging stations.

Resultat: 71
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Teknologi Monteringsstil Paket/låda Transistorns polaritet Antal kanaler Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Id - Kontinuerlig dräneringsström Rds på - Dräneringskällans resistans Vgs - Gate-källans spänning Vgs th - Gate-källans tröskelspänning Qg - Gate-laddning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning Kanalläge Kvalificering Handelsnamn Förpackning
Infineon Technologies MOSFET:er LOW POWER_NEW 712På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 237 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 18 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER_NEW 134På lager
240Förväntad 2026-09-10
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 63 A 26 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER_NEW 73På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER_NEW 13På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000

Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET:er LOW POWER_NEW 2På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 14 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 23 nC - 40 C + 150 C 81 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER_NEW
4 000Förväntad 2027-02-04
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 67 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 109 nC - 55 C + 150 C 351 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER_NEW
3 000Förväntad 2026-09-10
Min.: 1
Multipla: 1
: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 95 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 53 nC - 40 C + 150 C 171 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER_NEW
500Förväntad 2027-02-18
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER_NEW Ledtid 21 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 367 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER_NEW Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 750
Multipla: 750
: 750

Si HDSOP-22 600 V Reel
Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER_NEW Ledtid för icke lagerfört 21 Veckor
Min.: 1 700
Multipla: 1 700
: 1 700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 61 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 79 nC - 55 C + 150 C 379 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER_NEW Ledtid för icke lagerfört 21 Veckor
Min.: 1 700
Multipla: 1 700
: 1 700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 266 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER_NEW Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 750
Multipla: 750
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 112 A 20 mOhms - 20 V, 30 V 4.5 V 186 nC - 55 C + 150 C 543 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER_NEW Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1
: 750

Si - 20 V, 20 V CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER_NEW Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 750
Multipla: 750
: 750

Si - 20 V, 20 V CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER_NEW Ledtid för icke lagerfört 39 Veckor
Min.: 3 000
Multipla: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 36 nC - 40 C + 150 C 127 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER_NEW Ledtid 19 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 8 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER_NEW Ledtid för icke lagerfört 18 Veckor
Min.: 2 000
Multipla: 2 000
: 2 000

Si CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER_NEW Ledtid för icke lagerfört 18 Veckor
Min.: 2 000
Multipla: 2 000
: 2 000

Si CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER_NEW Ledtid för icke lagerfört 18 Veckor
Min.: 2 000
Multipla: 2 000
: 2 000

Si CoolMOS Reel

Infineon Technologies MOSFET:er AUTOMOTIVE_COOLMOS Ledtid för icke lagerfört 23 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 41 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube