Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low RDS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.

Typer av Åtskilda halvledare
Ändra kategorivy
Resultat: 103
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS Produkttyp
Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
IXYS MOSFET:er 86 Amps 200V 29 Rds
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 23 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET:er TO3P 250V 86A N-CH TRENCH
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 23 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET:er 96 Amps 250V 36 Rds
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 23 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3