PSC20120x Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes

Nexperia PSC20120x Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are designed for ultra-high performance, low-loss, high-efficiency power conversion applications. The devices feature temperature-independent capacitive turn-off, zero recovery switching behavior, and an excellent figure-of-merit (QC x VF).

Resultat: 2
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil
Paket/låda
Konfiguration
If - Framström
Vrrm - Repetativ backspänning
Vf - Framspänning
Ifsm - Stötström framåt
Ir - Motström
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Förpackning
Nexperia SiC-schottkydioder PSC20120J/SOT8018/TO263-2L
Datablad
800På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-2 Single 20 A 1.2 kV 1.5 V 710 A 1 uA - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape
Nexperia SiC-schottkydioder PSC20120L/SOT8022/TO247-2L
Datablad
450Förväntad 2027-06-28
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-2 Single 20 A 1.2 kV 1.5 V 710 A 1 uA - 55 C + 175 C