Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

SIHG080N60E-GE3

Name: Vishay SIHG080N60E-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIHG080N60E-GE3
Price: 50.79 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

78-SIHG080N60E-GE3

Tillverk: Nr.:

SIHG080N60E-GE3

Tillverk:

Vishay / Siliconix

Beskrivning:

MOSFET:er TO247 600V 35A N-CH MOSFET

Datablad:

SIHG080N60E-GE3 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Vishay / Siliconix SIHG080N60E-GE3

På lager: 999

Lager:: 999 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	50,79 kr	50,79 kr
	31,72 kr	317,20 kr
	30,52 kr	3.052,00 kr
	27,14 kr	13.570,00 kr
	23,22 kr	23.220,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Vishay
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247AC-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	600 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	35 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	80 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	5 V
Qg - Gate-laddning:	42 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	227 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Tube
Märke:	Vishay / Siliconix
Konfiguration:	Single
Falltid:	31 ns
Transkonduktans framåt - Min:	4.6 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	96 ns
Serie:	SIHG E
Fabriksförpackningskvantitet:	500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	37 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	31 ns
Enhetens vikt:	6 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

SIHG080N60E-GE3 Datablad

Technical Resources

TO-247AC (High Voltage)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiHG080N60E E Series Power MOSFETs

Vishay / Siliconix SiHG080N60E E Series Power MOSFETs feature reduced switching and conduction losses utilizing 4th generation E series technology. The SiHG080N60E Power MOSFETs have a 650V drain-source voltage 63nC total gate charge in a TO-247AC package. The SiHG080N60E MOSFETs offer a low figure-of-merit (FOM) R_on x Q_g and a low effective capacitance (C_o(er)).