Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

NVMFWS002N10MCLT1G

Name: onsemi NVMFWS002N10MCLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-MFWS002N10MCLT1G
Price: 39.79 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-MFWS002N10MCLT1G

Tillverk: Nr.:

NVMFWS002N10MCLT1G

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

MOSFET:er PTNG 100V LL SO8FL HE

Datablad:

NVMFWS002N10MCLT1G Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NVMFWS002N10MCLT1G

På lager: 1 136

Lager:: 1 136 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	39,79 kr	39,79 kr
	26,16 kr	261,60 kr
	18,42 kr	1.842,00 kr
	16,90 kr	8.450,00 kr
	15,70 kr	15.700,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1500)
	15,70 kr	23.550,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	DFN-5
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	100 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	177 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	3.8 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3 V
Qg - Gate-laddning:	97 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	164 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Falltid:	105 ns
Transkonduktans framåt - Min:	200 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	30 ns
Serie:	NVMFWS002N10MC
Fabriksförpackningskvantitet:	1500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	250 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	24 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NVMFWS002N10MCLT1G Datablad

PCN

Product Change Notification 2024-07-03 (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NVMFWS002N10MCL Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi NVMFWS002N10MCL Single N-Channel Power MOSFETs feature a 177A continuous drain current, 2.8mΩ at 10V R_DS(ON), and 100V drain-to-source voltage. The NVMFWS002N10MCL is available in a 5mm x 6mm flat lead package developed for compact and efficient designs. The onsemi AEC-Q101-qualified MOSFET is PPAP-capable and ideal for automotive applications.