OptiMOS™ 5 Power MOSFET-enheter

Infineon OptiMOS™ 5 Power MOSFETs are designed to meet requirements for improved system efficiency while reducing system costs. These devices feature lower RDS(on) and Figure of Merit (RDS(on) x Qg) compared to alternative devices. They are designed using a new silicon technology, optimized to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements. Typical applications for these MOSFETs include server, datacom and client applications in the computing industry. They can also be used in synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) as well as motor control, solar micro inverters and fast switching DC/DC converter applications.
Learn More

Resultat: 81
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Kvalificering
Handelsnamn
Förpackning
Infineon Technologies MOSFET:er IFX FET 60V
Datablad
10 000Förväntad 2026-04-23
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 137 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 39 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies IPP020N06NXKSA1
Infineon Technologies MOSFET:er IFX FET 60V
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 8 Veckor
Min.: 500
Multipla: 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IPP027N08N5XKSA1
Infineon Technologies MOSFET:er IFX FET > 60-80V
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 8 Veckor
Min.: 500
Multipla: 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 99 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IPP040N06NXKSA1
Infineon Technologies MOSFET:er IFX FET 60V
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 8 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 69 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 38 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IPP020N08N5XKSA1
Infineon Technologies MOSFET:er IFX FET > 60-80V
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 13 Veckor
Min.: 500
Multipla: 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 178 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IPP023N08N5XKSA1
Infineon Technologies MOSFET:er IFX FET > 60-80V
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 14 Veckor
Min.: 500
Multipla: 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 133 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube