Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

NCV5700DR2G

Name: onsemi NCV5700DR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV5700DR2G
Price: 15.05 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-NCV5700DR2G

Tillverk: Nr.:

NCV5700DR2G

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

Styrdrivenheter HIGH CURRENT IGBT GATE DR

Datablad:

NCV5700DR2G Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NCV5700DR2G

På lager: 2 680

Lager:: 2 680 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 19 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	15,05 kr	15,05 kr
	11,02 kr	110,20 kr
	9,75 kr	243,75 kr
	8,89 kr	889,00 kr
	8,36 kr	2 090,00 kr
	8,05 kr	4 025,00 kr
	7,32 kr	7 320,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
	6,78 kr	16 950,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	Styrdrivenheter
RoHS-direktivet:
Produkt:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Typ:	Half-Bridge
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	SOIC-16
Antal drivenheter:	1 Driver
Antal utgångar:	1 Output
Utgångsström:	7.8 A
Minimal matningsspänning:	0 V
Maximal matningsspänning:	24 V
Konfiguration:	Inverting, Non-Inverting
Stigtid:	9.2 ns
Falltid:	7.9 ns
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 125 C
Serie:	NCV5700
Kvalificering:	AEC-Q100
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	onsemi
Maximal förseningstid vid avstängning:	75 ns
Maximal förseningstid vid påslagning:	75 ns
Arbetsström:	900 uA
Utgångsspänning:	5 V
Pd - Effektavledning:	900 mW
Produkttyp:	Gate Drivers
Avstängning:	Shutdown
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	PMIC - Power Management ICs
Teknologi:	Si
Enhetens vikt:	142 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NCV5700DR2G Datablad

Errata

Datasheet update for NCV5700/NCD5700/01 series, DESAT charge current (PDF)

PCN

Efterlevnadskoder

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542310302
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Filippinerna
Monteringsland:: Filippinerna
Distributionsland:: Japan

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

NCV5700 High-Current IGBT Gate Driver

onsemi NCV5700 High-Current IGBT Gate Driver features a high-current output of +4/-6A at IGBT Miller Plateau Voltages. The NCV5700 is a high-performance stand-alone IGBT driver for high-power applications. These applications include solar inverters, motor control, and uninterruptible power supplies. This device also eliminates many external components. Device protection features include Active Miller Clamp, accurate UVLO, EN input, DESAT protection and Active Low FAULT output. The driver has an accurate 5.0V output and separate high and low (VOH and VOL) driver outputs for system design convenience. A wide voltage range of bias supplies, including unipolar and bipolar voltages, are accommodated. The NCV5700 is available in a 16-pin SOIC package.

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.