NVMFS5832NLWFT1G-UM

onsemi
863-FS5832NLWFT1G-UM
NVMFS5832NLWFT1G-UM

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO

Livscykel:
Ny produkt:
Nytt från denna tillverkare.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:
0

Du kan fortfarande köpa produkten som en restnoterad beställning.

På beställningen:
1 500
Förväntad 2026-04-10
Fabrikens ledtid:
40
Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
18,42 kr 18,42 kr
11,77 kr 117,70 kr
8,10 kr 810,00 kr
6,87 kr 3.435,00 kr
5,73 kr 5.730,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1500)
5,73 kr 8.595,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
onsemi
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
40 V
120 A
4.2 mOhms
20 V
2.4 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
127 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Märke: onsemi
Konfiguration: Single
Falltid: 8 ns
Transkonduktans framåt - Min: 21 S
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 24 ns
Serie: NVMFS5832NL
Fabriksförpackningskvantitet: 1500
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 27 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 13 ns
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290095
ECCN:
EAR99

NVMFS5832NL Single N-Channel Power MOSFET

onsemi NVMFS5832NL Single N-Channel Power MOSFET is a high-performance MOSFET designed for low-voltage applications requiring efficient power switching. Built on advanced trench technology, the onsemi NVMFS5832NL offers an exceptionally low RDS(on) of 4.2mΩ at VGS = 10V, enabling reduced conduction losses and improved thermal performance. With a maximum drain-source voltage of 40V and a continuous drain current rating of up to 120A, this MOSFET is ideal for demanding environments such as DC-DC converters, synchronous rectification, and motor control. The compact 5mm x 6mm Power DFN package ensures high power density and excellent thermal dissipation, while the device’s low gate charge supports fast switching for enhanced efficiency in high-frequency designs.

N-Channel 40V & 60V Automotive Power MOSFETs

onsemi NVMFSCx Automotive Power 40V and 60V MOSFETs are available in 5mm x 6mm dual-sided cooled packages ideal for compact and efficient designs. The single N-Channel devices feature 1.5mΩ and 0.9mΩ RDS(on) drain-source on-resistance to minimize conductive losses. The MOSFETs includes a wettable flank option available for enhanced optical inspection. The devices are also AEC-Q101-qualified and PPAP-capable, making them suitable for automotive applications.

NVMx & NVTx Power MOSFETs

onsemi NVMx and NVTx Power MOSFETs are AEC−Q101 Qualified and offer compact and efficient solutions for automotive applications. NVMx and NVTx Power MOSFETs offer Low RDS(on) to minimize conduction losses and low QG and Capacitance to minimize driver losses. These onsemi single N-Channel MOSFETs are housed in a compact, SO-8FL, and WDFN8 packages and are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free, and RoHS Compliant.