GC05MPS33J-TR

GeneSiC Semiconductor
905-GC05MPS33J-TR
GC05MPS33J-TR

Tillverk:

Beskrivning:
SiC-schottkydioder 3300V 5A TO-263-7 SiC Schottky MPS

Livscykel:
Ny produkt:
Nytt från denna tillverkare.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:
Ej på lager
Fabrikens ledtid:
18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.
Minst: 800   Flera: 800
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 800)
179,52 kr 143.616,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Navitas Semiconductor
Produktkategori: SiC-schottkydioder
RoHS-direktivet:  
SiC Schottky MPS
Reel
Märke: GeneSiC Semiconductor
Produkttyp: SiC Schottky Diodes
Fabriksförpackningskvantitet: 800
Underkategori: Diodes & Rectifiers
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

3300V 5A SiC Schottky MPS Diode

GeneSiC Semiconductor 3300V 5A SiC Schottky MPS Diode is a new generation of SiC diode with improved surge and avalanche robustness. This SiC Schottky MPS diode incorporates enhanced forward and switching characteristics with 3300V Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM). The Schottky diode offers a continuous forwarding current (IF) of 8A and a total capacitative charge (Qc) of 43nC. This 3300V diode drives with low thermal resistance, temperature-independent fast switching, and low leakage current. The SiC Shottky MPS diode comes with advantages like optimal price-performance, increased price-performance and system power density, and reduced cooling requirements. Typical applications include medical imaging, oil drilling, geothermal instrumentation, high-frequency rectifiers, high voltage multipliers, and high voltage switching.