RQ3xFRATCB effekt-MOSFET:ar

MOSFET-enheterna RQ3xFRATCB från ROHM Semiconductor  är MOSFET:ar av fordonsklass som uppfyller AEC-Q101. MOSFET-enheterna har ett dräneringsspänningsområde på -40 V till 100 V, 8 kontakter, upp till 69 W effektförlust och ±12A  till ±27 A kontinuerlig dräneringsström. RQ3xFRATCB effekt-MOSFET:arna finns i N-kanal och P-kanal. Dessa effekt-MOSFET:ar finns i en liten HSMT8AG-kapsling med måtten 3,3 mm x 3,3 mm. RQ3xFRATCB effekt-MOSFET:arna är perfekta för avancerade system för förarassistans (ADAS), infotainment, belysning och kaross.

Resultat: 3
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Förpackning
ROHM Semiconductor MOSFET:er Pch -40V -27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
Datablad
3 830På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 3 000

Si SMD/SMT HSMT-8 P-Channel 1 Channel 40 V 27 A 22 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 32 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET:er Pch -40V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
Datablad
2 997På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 3 000

Si SMD/SMT HSMT-8 P-Channel 1 Channel 40 V 12 A 48 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 15.5 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET:er Pch -60V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
Datablad
2 795På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 3 000

Si SMD/SMT HSMT-8 P-Channel 1 Channel 60 V 12 A 106 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 15.7 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Reel, Cut Tape