QPA1009EVB

Qorvo
772-QPA1009EVB
QPA1009EVB

Tillverk:

Beskrivning:
RF-utvecklingsverktyg 10.7-12.7 GHz 17W PA PHS

Produkten är endast tillgänglig för OEM/EMS-kunder och kunder inom konstruktionsverksamhet. Produkten levereras inte till konsumenter inom EU eller Storbritannien.

Tillgänglighet

Lager:
0

Du kan fortfarande köpa produkten som en restnoterad beställning.

Fabrikens ledtid:
16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
39 730,50 kr 39 730,50 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Qorvo
Produktkategori: RF-utvecklingsverktyg
Leveransrestriktioner:
 Produkten är endast tillgänglig för OEM/EMS-kunder och kunder inom konstruktionsverksamhet. Produkten levereras inte till konsumenter inom EU eller Storbritannien.
RoHS-direktivet:  
Evaluation Boards
RF Amplifier
QPA1009
10.7 GHz to 12.7 GHz
Märke: Qorvo
Förpackning: Bag
Produkttyp: RF Development Tools
Serie: QPA1009
Fabriksförpackningskvantitet: 1
Underkategori: Development Tools
Del # Alias: QPA1009
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

USHTS:
9030820000
ECCN:
EAR99

QPA1009EVB Evaluation Board

Qorvo QPA1009EVB Evaluation Board is a demonstration and development platform for the QPA1009 17W Wideband GaN on SiC Power Amplifier. The QPA1009 operates from 10.7GHz to 12.7GHz, delivering 42dBm of saturated output power and 16dB of large signal gain while achieving 33% power-added efficiency. The QPA1009 RF ports have DC blocking capacitors and are matched to 50Ω. The device's RF input port is DC coupled to ground for optimum ESD performance. The QPA1009 is fabricated on a 0.15µm QGaN15 GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) process and is 100% DC and RF tested to ensure compliance with electrical specifications.