Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

TSM600NA25CIT C0G

Name: Taiwan Semiconductor TSM600NA25CIT C0G
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM600NA25CITC0G
Price: 42.51 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

821-TSM600NA25CITC0G

Tillverk: Nr.:

TSM600NA25CIT C0G

Tillverk:

Taiwan Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er 250V, 22A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFET:er

Livscykel:

Nytt hos Mouser

Datablad:

TSM600NA25CIT C0G Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Taiwan Semiconductor TSM600NA25CIT C0G

På lager: 3 999

Lager:: 3 999 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 20 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	42,51 kr	42,51 kr
	28,34 kr	283,40 kr
	20,27 kr	2.027,00 kr
	19,40 kr	9.700,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Taiwan Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	ITO-220TL-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	250 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	22 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	60 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4.2 V
Qg - Gate-laddning:	71 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	78 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Tube
Märke:	Taiwan Semiconductor
Konfiguration:	Single
Falltid:	25 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	16 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	2000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	78 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	16 ns
Del # Alias:	TSM600NA25CIT
Enhetens vikt:	1,584 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

TSM600NA25CIT N-Channel Power MOSFET

Taiwan Semiconductor TSM600NA25CIT N-Channel Power MOSFET is a 250V low-voltage and single configuration MOSFET built with Trench technology. This MOSFET features a 22A continuous drain current, 60mΩ drain-source resistance, 78W power dissipation, and 71nC gate charge. The TSM600NA25CIT MOSFET offers 22pF reverse transfer capacitance and is Pb-free, halogen-free, and RoHS compliant. This power MOSFET is ideally used in Uninterruptible Power Supply (UPS), AC-DC power supply, and lighting applications.