EVALSTGAP2SICSC

STMicroelectronics
511-EVALSTGAP2SICSC
EVALSTGAP2SICSC

Tillverk:

Beskrivning:
Strömhantering, IC-utvecklingsverktyg Demonstration board for STGAP2SICSC isolated 4 A single gate drive

På lager: 3

Lager:
3 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
30 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
601,68 kr 601,68 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: Strömhantering, IC-utvecklingsverktyg
RoHS-direktivet:  
Demonstration Boards
Gate Driver
3.3 V, 5 V
- 3 V, 0 V, 17 V, 19 V
STGAP2SICSC
Märke: STMicroelectronics
Förpackning: Bulk
Produkttyp: Power Management IC Development Tools
Fabriksförpackningskvantitet: 1
Underkategori: Development Tools
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8473302000
CAHTS:
9023000000
USHTS:
9023000000
JPHTS:
902300000
MXHTS:
9023000100
BRHTS:
90230000
ECCN:
EAR99

EVALSTGAP2SICSC Demonstration Board

STMicroelectronics EVALSTGAP2SICSC Demonstration Board is designed to quickly and easily demonstrate STGAP2SICS single-gate drivers, which provide galvanic isolation between the gate driving channel and the low voltage control and interface circuitry. The gate drivers are characterized by 4A capability and rail-to-rail outputs, making the devices suitable for mid and high-power applications such as power conversion and motor driver inverters in industrial applications. STMicroelectronics EVALSTGAP2SICSC Demonstration Board enables evaluation of all STGAP2SiCSC features while driving a half-bridge power stage with a voltage rating of up to 1200V in TO-220 or TO-247 packages. The board components are easy to access and modify, simplifying driver performance evaluation under various application conditions and fine-tuning of final application components.