QPA1009

Qorvo
772-QPA1009
QPA1009

Tillverk:

Beskrivning:
RF-förstärkare 10.7-12.7 GHz 17W PA PHS

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.
Denna produkt kräver eventuellt ytterligare dokumentation vid export från USA.

Tillgänglighet

Lager:
0

Du kan fortfarande köpa produkten som en restnoterad beställning.

På beställningen:
20
Förväntad 2026-06-10
Fabrikens ledtid:
16
Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
4.593,15 kr 4.593,15 kr
3.972,07 kr 39.720,70 kr
3.817,51 kr 76.350,20 kr
260 Beräkning

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Qorvo
Produktkategori: RF-förstärkare
Leveransrestriktioner:
 Denna produkt kräver eventuellt ytterligare dokumentation vid export från USA.
RoHS-direktivet:  
10.7 GHz to 12.7 GHz
16 dB
SMD/SMT
GaN
- 40 C
+ 85 C
QPA1009
Tray
Märke: Qorvo
Ingångsreturförlust: 18 dB
Fuktkänsliga: Yes
Antal kanaler: 1 Channel
Pd - Effektavledning: 59.5 W
Produkttyp: RF Amplifier
Fabriksförpackningskvantitet: 20
Underkategori: Wireless & RF Integrated Circuits
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8542330000
CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542330001
MXHTS:
8542330299
ECCN:
3A001.b.2.b.2

QPA1009 17W Wideband GaN on SiC Power Amplifier

Qorvo QPA1009 17W Wideband GaN on SiC Power Amplifier operates from 10.7GHz to 12.7GHz, delivering 42dBm of saturated output power and 16dB of large signal gain while achieving 33% power-added efficiency. The QPA1009 RF ports have DC blocking capacitors and are matched to 50Ω. The device's RF input port is DC coupled to ground for optimum ESD performance. The QPA1009 is fabricated on a 0.15µm QGaN15 GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) process and is 100% DC and RF tested to ensure compliance with electrical specifications.