Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

TSM6502CR RLG

Name: Taiwan Semiconductor TSM6502CR RLG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM6502CRRLG
Price: 14.72 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

821-TSM6502CRRLG

Tillverk: Nr.:

TSM6502CR RLG

Tillverk:

Taiwan Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er 60V, 24A, -60V, -18A, Complementary N & P-Channel Power MOSFET

Datablad:

TSM6502CR RLG Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Taiwan Semiconductor TSM6502CR RLG

På lager: 5 111

Lager:: 5 111 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	14,72 kr	14,72 kr
	9,28 kr	92,80 kr
	6,19 kr	619,00 kr
	4,88 kr	2.440,00 kr
	4,45 kr	4.450,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
	3,99 kr	9.975,00 kr
	3,67 kr	18.350,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Taiwan Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	PDFN-56-8
Transistorns polaritet:	N-Channel, P-Channel
Antal kanaler:	2 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	60 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	5.4 A, 4 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	28 mOhms, 73 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	1.2 V
Qg - Gate-laddning:	20.8 nC, 9.5 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	40 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	Taiwan Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Falltid:	18 ns, 44 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	25 ns, 28 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	18 ns, 44 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	7.4 ns, 4 ns
Del # Alias:	TSM6502CR
Enhetens vikt:	372,608 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

TSM6502CR RLG Datablad

Models

RoHS Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

TSM N- & P-Channel MOSFETs

Taiwan Semiconductor TSM N- and P-Channel MOSFETs are RoHS compliant with low gate charges for fast power switching. These MOSFETs are halogen-free and 100% UIS- and R_gtested. The TSM N- and P-channel MOSFETs operate at -55°C to 150°C junction temperature range. These MOSFETs are ideally used in load switch power management, portable devices, DC-DC converters, and power routing.