TK080U60Z1,RQ

Name: Toshiba TK080U60Z1,RQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK080U60Z1RQ
Price: 47.42 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

757-TK080U60Z1RQ

Tillverk: Nr.:

TK080U60Z1,RQ

Tillverk:

Toshiba

Beskrivning:

MOSFET:er 600V Silicon N-Channel MOS (DTMOS) MOSFET

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

TK080U60Z1,RQ Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Toshiba TK080U60Z1,RQ

På lager: 1 998

Lager:: 1 998 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	47,42 kr	47,42 kr
	31,50 kr	315,00 kr
	22,45 kr	2.245,00 kr
	21,36 kr	10.680,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2000)
	18,09 kr	36.180,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Toshiba
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TOLL-9
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	600 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	30 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	80 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4 V
Qg - Gate-laddning:	43 nC
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	211 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Falltid:	4 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	20 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	2000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	93 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	50 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

TK080U60Z1,RQ Datablad (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TKx Silicon N-Channel MOSFETs

Toshiba TKx Silicon N-Channel MOSFETs are available in U-MOSX-H and DTMOSVI types and offer exceptional performance characteristics. These MOSFETs are designed with fast reverse recovery times that enhance efficiency in high-speed switching applications by reducing the delay between the turn-off and turn-on states. The low drain-source on-resistance [R_DS(on)] contributes to minimal power losses and improved thermal management, making them ideal for applications requiring high current handling with low energy dissipation.