Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

TJ80S04M3L,LXHQ

Name: Toshiba TJ80S04M3L,LXHQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TJ80S04M3L,LXHQ
Price: 18.42 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

757-TJ80S04M3L,LXHQ

Tillverk: Nr.:

TJ80S04M3L,LXHQ

Tillverk:

Toshiba

Beskrivning:

MOSFET:er 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101

Datablad:

TJ80S04M3L,LXHQ Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Toshiba TJ80S04M3L,LXHQ

På lager: 4 116

Lager:: 4 116 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	18,42 kr	18,42 kr
	13,08 kr	130,80 kr
	8,84 kr	884,00 kr
	7,12 kr	3.560,00 kr
	6,62 kr	6.620,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2000)
	5,72 kr	11.440,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Toshiba
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorns polaritet:	P-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	40 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	80 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	5.2 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 10 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3 V
Qg - Gate-laddning:	158 nC
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	100 W
Kanalläge:	Enhancement
Kvalificering:	AEC-Q101
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	Toshiba
Falltid:	300 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	100 ns
Serie:	UMOS VI
Fabriksförpackningskvantitet:	2000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 P-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	970 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	125 ns
Del # Alias:	TJ80S04M3L,LXHQ(O
Enhetens vikt:	360 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

Filtrera dokument:

Datablad

TJ80S04M3L,LXHQ Datablad (PDF)

Application Notes

Models

Simulation Model

Product Catalogs

Selection Guide 2024 - MOSFETs

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Automotive U-MOSVI Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSVI Power MOSFETs are -40V P-channel power MOSFETs for automotive applications. These devices feature a gate drive voltage of -4.5V compared with -6V for the conventional products in the DPAK+ package. This feature allows systems to be used even when the battery voltage drops. The Toshiba Automotive U-MOSVI Power MOSFETs feature low on-resistance.

Automotive Devices

Toshiba Automotive Devices offer an extensive lineup of MOSFETs, optical isolation, transistors, and diodes, to cover various automotive applications in 12V to 48V battery systems. In addition, Toshiba offers automotive-grade motor control drivers. Toshiba automotive devices are AEC-Q100 and AEC-Q101 qualified.

Automotive AEC-Q101 Qualified Power MOSFETs

Toshiba Automotive AEC-Q101 Qualified Power MOSFETs is an extensive lineup of Power MOSFETs covering various automotive applications in 12V to 48V battery systems. Toshiba has been in the discrete automotive industry since the 1960s, starting with rectifiers and then Automotive MOSFETs in the 1990s. With performance and reliability, all of Toshiba’s automotive products go above and beyond AEC-Q101 standards.