Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

TGF2929-FS

Name: Qorvo TGF2929-FS
Brand: Qorvo
SKU: 772-TGF2929-FS
Price: 6547.74 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

772-TGF2929-FS

Tillverk: Nr.:

TGF2929-FS

Tillverk:

Qorvo

Beskrivning:

GaN FET DC-3.5GHz 100W 28V GaN

Datablad:

TGF2929-FS Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Qorvo TGF2929-FS

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: Begär kostnadsberäkning för leverans

Ange kvantitet:

Minst: 25 Flera: 25

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	6.547,74 kr	163.693,50 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Qorvo
Produktkategori:	GaN FET
RoHS-direktivet:
Paket/låda:	NI-360
Transistorns polaritet:	N-Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	28 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	12 A
Vgs - Gate-källans spänning:	- 7 V, + 2 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	- 2.9 V
Pd - Effektavledning:	144 W
Märke:	Qorvo
Fuktkänsliga:	Yes
Förpackning:	Tray
Produkttyp:	GaN FETs
Serie:	TGF2929
Fabriksförpackningskvantitet:	25
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	GaN-on-SiC
Typ:	RF Power MOSFET
Del # Alias:	TGF2929 1123716

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

TGF2929-FS Datablad (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8542319000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 854239099
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

TGF2929 GaN RF Power Transistors

Qorvo TGF2929 GaN RF Power Transistors are discrete GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMTs (High-Electron Mobility Transistor) that operate from DC to 3.5GHz. They are constructed with the QGaN25HV process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.