STGW75M65DF2

STMicroelectronics
511-STGW75M65DF2
STGW75M65DF2

Tillverk:

Beskrivning:
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 679

Lager:
679 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
14 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
56,57 kr 56,57 kr
35,75 kr 357,50 kr
27,80 kr 2.780,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: IGBTs
RoHS-direktivet:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.65 V
- 20 V, 20 V
120 A
468 W
- 55 C
+ 175 C
STGW75M65DF2
Tube
Märke: STMicroelectronics
Kontinuerlig kollektorström IC max.: 120 A
Gate-sändarens läckström: +/- 250 uA
Produkttyp: IGBT Transistors
Fabriksförpackningskvantitet: 600
Underkategori: IGBTs
Enhetens vikt: 6 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.