Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

STGP8M120DF3

Name: STMicroelectronics STGP8M120DF3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGP8M120DF3
Price: 49.6 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-STGP8M120DF3

Tillverk: Nr.:

STGP8M120DF3

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package

Komplettera din design

Datablad:

STGP8M120DF3 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om STMicroelectronics STGP8M120DF3

På lager: 1 678

Lager:: 1 678 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 15 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	49,60 kr	49,60 kr
	33,03 kr	330,30 kr
	26,71 kr	2.671,00 kr
	23,76 kr	11.880,00 kr
	18,97 kr	18.970,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	IGBTs
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Paket/låda:	TO-220-3
Monteringsstil:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor- Emitterspänning VCEO Max.:	1.2 kV
Kollektor - Sändarens mättnadsspänning:	1.85 V
Maximal grind-emitterspänning:	- 20 V, 20 V
Kontinuerlig kollektorström vid 25 C:	16 A
Pd - Effektavledning:	167 W
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Serie:	M
Förpackning:	Tube
Märke:	STMicroelectronics
Kontinuerlig kollektorström IC max.:	8 A
Gate-sändarens läckström:	250 uA
Produkttyp:	IGBT Transistors
Fabriksförpackningskvantitet:	1000
Underkategori:	IGBTs
Enhetens vikt:	2 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

STGP8M120DF3 Datablad (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

M Series 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics M Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution also result in safer paralleling operation. Typical applications for these devices include industrial drives, UPS, solar, and welding.