STGB30H60DFB

STMicroelectronics
511-STGB30H60DFB
STGB30H60DFB

Tillverk:

Beskrivning:
IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 79

Lager:
79
Kan skickas omedelbart
På beställningen:
1 000
Förväntad 2026-05-04
Fabrikens ledtid:
15
Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
30,85 kr 30,85 kr
19,95 kr 199,50 kr
14,72 kr 1.472,00 kr
12,43 kr 6.215,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)
10,59 kr 10.590,00 kr
10,03 kr 20.060,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: IGBTs
RoHS-direktivet:  
Si
D2PAK-3
SMD/SMT
Single
600 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
60 A
260 W
- 55 C
+ 175 C
STGB30H60DFB
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: STMicroelectronics
Kontinuerlig kollektorström IC max.: 60 A
Gate-sändarens läckström: +/- 250 nA
Produkttyp: IGBT Transistors
Fabriksförpackningskvantitet: 1000
Underkategori: IGBTs
Enhetens vikt: 1,380 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

HB Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics HB Trench Gate Field-Stop IGBTs use an advanced proprietary trench gate and field stop structure. These HB devices represent a compromise of conduction and switching losses to maximize frequency converter efficiency. A slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.