STGB15M65DF2

STMicroelectronics
511-STGB15M65DF2
STGB15M65DF2

Tillverk:

Beskrivning:
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 15 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 1 457

Lager:
1 457 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
15 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
23,11 kr 23,11 kr
14,93 kr 149,30 kr
10,21 kr 1.021,00 kr
8,13 kr 4.065,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)
6,89 kr 6.890,00 kr
6,81 kr 13.620,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: IGBTs
RoHS-direktivet:  
Si
D2PAK-3
SMD/SMT
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
30 A
136 W
- 55 C
+ 175 C
STGB15M65DF2
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: STMicroelectronics
Kontinuerlig kollektorström IC max.: 30 A
Gate-sändarens läckström: +/- 250 uA
Produkttyp: IGBT Transistors
Fabriksförpackningskvantitet: 1000
Underkategori: IGBTs
Enhetens vikt: 1,380 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.