SSM3K35AMFV,L3F

Toshiba
757-SSM3K35AMFVL3F
SSM3K35AMFV,L3F

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

Datablad:
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.
Mer information
Lär dig mer om Toshiba SSM3K35AMFV,L3F

På lager: 304 777

Lager:
304 777 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
14 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 8000)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ †
1,78 kr 1,78 kr
1,01 kr 10,10 kr
0,425 kr 42,50 kr
0,327 kr 327,00 kr
0,305 kr 1.525,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 8000)
0,24 kr 1.920,00 kr
0,229 kr 5.496,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Toshiba
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
SMD/SMT
VESM-3
N-Channel
1 Channel
20 V
250 mA
1.1 Ohms
- 10 V, 10 V
1 V
340 pC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
U-MOSIII
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: Toshiba
Konfiguration: Single
Falltid: 5.5 ns
Transkonduktans framåt - Min: 0.5 S
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 2 ns
Serie: SSM3K35AM
Fabriksförpackningskvantitet: 8000
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 6.5 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 2 ns
Enhetens vikt: 24 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

U-MOSIII MOSFETs

Toshiba U-MOSIII MOSFETs are single- and dual-channel MOSFETs ideal for high-speed switching applications. These Toshiba MOSFETs offer a low drain to source on-resistance and a low voltage gate drive.

Discrete Solid State Drive (SSD) Solutions

Toshiba Discrete Solid State Drive (SSD) Solutions feature a broad product lineup that meets current requirements with TVS, Shottkey Barrier Diodes (SBD), LDOs, Load Switch ICs, and the powerful eFuse IC. These SSDs can parse through data quicker than a traditional Hard Disk Drive (HDD). As SSD technology improves, it will require power circuitry that meets increasingly rigorous power demands and protection that keeps essential data safe from failures. Toshiba offers a comprehensive lineup of load switches and MOSFETs for controlling power inputs, protection ICs, and diodes designed to handle abnormal input power conditions and overvoltage surges during hotplug.

SSM3 High Current MOSFETs

Toshiba SSM3 High Current MOSFETs provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) are semiconductor devices used for switching and amplifying electronic signals in electronic devices. Toshiba SSM3 High Current MOSFETs are ideal for mobile devices (wearable devices, smartphones, tablet PCs, etc.), load switches, DC-DC converters, and general-purpose switches. 

Ett oväntat fel har inträffat.


Har du en fråga? Besök hjälpcentret.
Om du har frågor som rör en specifik beställning kan du logga in på ditt konto.

Om du stöter på ytterligare problem kan du kontakta oss på 800-346-6873 eller skicka ett meddelande via e-post till help@mouser.com.