Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

SP8M21HZGTB

Name: ROHM Semiconductor SP8M21HZGTB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SP8M21HZGTB
Price: 32.59 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-SP8M21HZGTB

Tillverk: Nr.:

SP8M21HZGTB

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er AECQ

Datablad:

SP8M21HZGTB Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om ROHM Semiconductor SP8M21HZGTB

På lager: 4 682

Lager:: 4 682 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Partier som är större än 4682 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	32,59 kr	32,59 kr
	19,40 kr	194,00 kr
	14,72 kr	1.472,00 kr
	12,43 kr	6.215,00 kr
	11,55 kr	11.550,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
	11,23 kr	28.075,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	SOP-8
Transistorns polaritet:	N-Channel, P-Channel
Antal kanaler:	2 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	45 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	6 A, 4 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	25 mOhms, 46 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.5 V, 2.5 V
Qg - Gate-laddning:	21.6 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	2 W
Kanalläge:	Enhancement
Kvalificering:	AEC-Q101
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Falltid:	27 ns
Transkonduktans framåt - Min:	6 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	30 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	72 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	19 ns
Del # Alias:	SP8M21HZG

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

Filtrera dokument:

Datablad

SP8M21HZGTB Datablad (PDF)

Specification Sheets

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SP8M Power MOSFETs

ROHM Semiconductor SP8M Power MOSFETs are low on-resistance devices housed in a small surface-mount package (SOP8). The SP8M features Pb-free plating and is RoHS compliant. The MOSFETs are also halogen-free, have Sn100% plating, and are AEC-Q101 qualified.