Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

SIR5607DP-T1-RE3

Name: Vishay SIR5607DP-T1-RE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIR5607DP-T1-RE3
Price: 31.17 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

78-SIR5607DP-T1-RE3

Tillverk: Nr.:

SIR5607DP-T1-RE3

Tillverk:

Vishay / Siliconix

Beskrivning:

MOSFET:er P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET

Datablad:

SIR5607DP-T1-RE3 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Vishay / Siliconix SIR5607DP-T1-RE3

På lager: 8 811

Lager:: 8 811

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 5 825

Förväntad 2026-03-23
Fabrikens ledtid:: 13

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	31,17 kr	31,17 kr
	20,71 kr	207,10 kr
	15,04 kr	1 504,00 kr
	13,19 kr	6 595,00 kr
	13,08 kr	13 080,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	11,23 kr	33 690,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Vishay
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	SO-8
Transistorns polaritet:	P-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	60 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	90.9 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	7 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.6 V
Qg - Gate-laddning:	31.7 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	104 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	Vishay / Siliconix
Konfiguration:	Single
Falltid:	20 ns
Transkonduktans framåt - Min:	52 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	320 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	30 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	45 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

SIR5607DP-T1-RE3 Datablad

PCN

Product Change Notification 2024-11-01 (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SiSS52DN & SiSS54DN N-Ch TrenchFET® Gen V MOSFETs

Vishay / Siliconix SiSS52DN and SiSS54DN N-Channel TrenchFET Gen V Power MOSFETs enable higher power density with very low R_DS(on). These power MOSFETs offer 30V V_DS and very low R_DS x Q_g Figure-of-Merit (FOM). The Vishay / Siliconix SiSS52DN N-Channel MOSFET typically features 162A I_D and 19.9nC Q_g. Meanwhile, the SiSS54DN N-Channel MOSFET typically features 185.6A I_D and 21nC Q_g. This 100% R_g and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested MOSFET comes in a thermally enhanced compact PowerPAK® 1212-8S package with a single configuration. Typical applications include DC/DC converters, Point-of-Loads (POLs), synchronous rectification, power and load switches, and battery management.