Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

SI7898DP-T1-GE3

Name: Vishay SI7898DP-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SI7898DP-T1-GE3
Price: 27.8 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

781-SI7898DP-T1-GE3

Tillverk: Nr.:

SI7898DP-T1-GE3

Tillverk:

Vishay Semiconductors

Beskrivning:

MOSFET:er 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Datablad:

SI7898DP-T1-GE3 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Vishay Semiconductors SI7898DP-T1-GE3

På lager: 7 931

Lager:: 7 931 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	27,80 kr	27,80 kr
	17,99 kr	179,90 kr
	12,43 kr	1.243,00 kr
	10,41 kr	5.205,00 kr
	9,56 kr	9.560,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	8,77 kr	26.310,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Vishay
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	PowerPAK-SO-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	150 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	3 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	85 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2 V
Qg - Gate-laddning:	17 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	1.9 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	TrenchFET
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Falltid:	17 ns
Transkonduktans framåt - Min:	15 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	10 ns
Serie:	SI7
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	24 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	9 ns
Del # Alias:	SI7898DP-GE3
Enhetens vikt:	506,600 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

SI7898DP-T1-GE3 Datablad

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541500000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

SI78 N-Channel (D-S) MOSFETs

Vishay Semiconductors SI78 N-Channel (D-S) MOSFETs are available in a new low thermal resistance PowerPAK^® package with a low 1.07mm profile. These N-Channel (D-S) MOSFETs are PWM optimized, 100% R_g tested, halogen-free, and RoHS compliant. The SI78 MOSFETs are used in DC/DC converters, primary side switches for DC/DC applications, and synchronous rectifiers.